LED外延片产业链全景图谱
原材料
高纯度氨气
高纯度氨气是半导体制造中用于氮化物沉积的关键反应气体，位于上游原材料环节，其超高纯度确保外延层质量，直接影响光电器件的性能和良率。
专用设备
MOCVD设备
MOCVD设备是半导体制造产业链上游的核心设备，采用金属有机化学气相沉积技术，在衬底上生长化合物半导体薄膜（如GaN、SiC），为LED和功率半导体器件的生产提供关键制造能力。
原材料
高纯度金属有机源
高纯度金属有机源是半导体产业链上游的关键化学前驱体材料，用于金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺，其超高纯度直接决定外延层质量和光电子器件的性能可靠性。
原材料
砷化镓晶圆
砷化镓晶圆是半导体激光器制造的关键基底材料，位于上游原材料环节，其高纯度和规格参数直接决定激光芯片的光电转换效率和可靠性。
零部件
LED外延片
LED外延片是LED产业链的上游关键材料，通过外延生长技术在衬底上制备，具有独立电致发光功能，用于生产LED芯片，其波长范围和发光效率直接决定LED的光色、亮度和能耗性能。
节点特征
物理特征
III-V族化合物半导体材料（如砷化镓、氮化镓）
晶圆形态，厚度在2-10微米范围
波长覆盖380-780nm（可见光）至940nm（红外）
金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生产
蓝宝石或硅基衬底，尺寸以2英寸或4英寸为主
功能特征
电致发光功能，将电能转化为特定波长光能
发光效率>150lm/W，影响LED亮度和能耗
波长精度±5nm，决定LED光色纯度和应用场景（如照明、显示背光）
作为LED芯片核心层，提供pn结发光结构
支持固态照明、汽车灯光、显示屏等应用
商业特征
市场集中度高，CR5>60%
按片计价，价格敏感于衬底材料（如蓝宝石）成本波动
高技术壁垒，专利密集且工艺know-how要求严格
资本密集型，MOCVD设备单台投资超100万美元
受全球节能政策和LED需求增长驱动
典型角色
上游瓶颈环节，供应稳定性影响全链生产
技术制高点，竞争聚焦材料纯度和外延均匀性
价值核心，决定LED产品性能和成本结构
创新驱动点，推动高亮度、Mini/Micro LED发展
暂无数据
暂无下游节点
该节点目前没有已知的下游客户关系